多晶硅纳米薄膜压阻式压力传感器

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前言

第1章 绪论

1.1 研究背景

1.2 国内外研究现状

1.2.1 多晶硅及隧道压阻理论的研究现状

1.2.2 多晶硅压力传感器的研究现状

1.3 研究目的和意义

1.4 本书主要研究内容

第2章 工艺条件对多晶硅纳米薄膜特性的影响

2.1 多晶硅纳米薄膜的制备与结构表征

2.1.1 不同厚度的多晶硅薄膜

2.1.2 不同淀积温度的多晶硅纳米薄膜

2.1.3 不同掺杂浓度的多晶硅纳米薄膜

2.2 工艺条件对多晶硅纳米薄膜压阻特性的影响

2.2.1 膜厚对多晶硅薄膜压阻特性的影响

2.2.2 淀积温度对多晶硅纳米薄膜压阻特性的影响

2.2.3 掺杂浓度对多晶硅纳米薄膜压阻特性的影响

2.3 工艺条件对多晶硅纳米薄膜压阻非线性的影响

2.3.1 单晶硅压阻非线性

2.3.2 掺杂浓度对多晶硅纳米薄膜压阻非线性的影响

2.3.3 多晶硅纳米薄膜压阻非线性分析

2.4 多晶硅纳米薄膜优化工艺条件

2.5 本章小结

第3章 多晶硅纳米薄膜的杨氏模量研究

3.1 单晶硅的杨氏模量

3.2 方向余弦矩阵、欧拉角与立体角

3.3 多晶硅纳米薄膜的晶粒模型

3.4 多晶硅纳米薄膜的杨氏模量

3.5 本章小结

第4章 多晶硅纳米薄膜的压力传感器应用研究

4.1 半导体的压阻效应

4.2 多晶硅压力传感器的工作原理

4.3 多晶硅纳米薄膜压力传感器的设计

4.3.1 有限元分析法

4.3.2 多晶硅纳米薄膜压力传感器的结构优化设计

4.3.3 多晶硅纳米薄膜压敏电阻的设计

4.3.4 压力传感器版图设计

4.4 多晶硅纳米薄膜压力传感器的制作

4.4.1 工艺流程

4.4.2 芯片与传感器样品

4.4.3 掺杂浓度的控制

4.5 本章小结

第5章 多晶硅纳米薄膜压力传感器的测试与分析

5.1 压力传感器静态特性技术指标

5.1.1 校准曲线、工作直线和满量程输出

5.1.2 重复性、迟滞和线性度

5.1.3 基本误差、灵敏度和零点输出

5.2 测试系统与测试方法

5.3 测试结果与分析

5.3.1 测试结果

5.3.2 零点热漂移分析

5.3.3 灵敏度热漂移分析

5.4 本章小结